當前位置：首頁>行業(yè)資訊>普朗西公司開發(fā)出半導體基片用鉬-銅復合材料
發(fā)布日期：2012/3/16 作者：亓家鐘
普朗西公司開發(fā)的半導體基片用鉬-銅復合材料，Mo-Cu R670，可確保發(fā)光二極管芯片的*佳散熱。復合材料的熱導率為170w/mK，熱膨脹系數(6.7ppm/K)與藍寶石(Al2O3)的一樣。該公司可提供鎳-金、釕、鉻、銀與其他界面材料涂層的Mo-Cu基片，防止其后的粘接工藝中的腐蝕，確保表面*佳性能。
摘譯自：http://www.metal-powder.net/view/24406/2012-3-13
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