高純氧化銦，三氧化二銦（In2O3）99.99% -99.999%
　　
　　1，技術(shù)對接：氣相沉積CVD—采用高頻加熱，高純氬氣攜帶銦蒸氣進入反應室與過量的氧氣O2，氣相沉積而成。
　　2，純度：99.999%or 5N。
　　3，檢驗：XRD
　　注：所有的雜質(zhì)元素（包括過渡元素，稀土元素）都低于1ppm
　　4，包裝：三層真空包裝。
　　5，用途：主要用于紅外光纖；透明電極和電子元件材料。
　　6，服務：提供MSDS 及其防護措施，免費樣品。
　　7，交期：7-10天/10Kgs。