應用領域：
航空航天
制備碳化硅（SiC）、氮化硅（Si₃N₄）等陶瓷基復合材料（CMC），用于發動機耐高溫部件。
鈦合金、鎳基超合金的擴散連接（Diffusion Bonding），提升結構件強度。
核能與軍工
核燃料芯塊（UO₂、ThO₂）的高密度燒結。
裝甲陶瓷（B₄C、Al₂O₃）與金屬的復合制備。
電子與半導體
熱電材料（Bi₂Te₃、SiGe）的快速致密化，提升轉換效率。
金剛石-銅復合散熱基板的界面優化。
硬質材料與工具
超硬刀具（WC-Co、立方氮化硼cBN）的低溫高壓燒結。
多晶金剛石（PCD）的合成。
科研與新材料
高熵合金、MAX相陶瓷的塊體制備。
納米粉末材料的晶界控制與致密化。

技術特點
1、多場耦合工藝
溫度：可達2200°C（石墨加熱體）或2500°C（鎢/鉬加熱體），控溫精度±1°C。
壓力：單向或雙向加壓（10~100 MPa），液壓/機械驅動，保壓穩定性±0.5%。
氣氛：高真空（≤10⁻³ Pa）或惰性氣體（Ar、N₂）保護，避免氧化。
2、高效致密化
同步施加熱能與機械能，顯著降低燒結溫度（比傳統燒結低200~500°C），抑制晶粒長大。
3、精密控制系統
PLC+觸摸屏編程，可設定多段溫度-壓力曲線，實時監測位移、變形量等參數。
可選配真空脫脂功能，適用于粘結劑輔助成型工藝（如MIM）。
4、特殊結構設計
熱區材料：石墨、鎢或鉬隔熱屏，適應不同溫度與化學環境。
模具兼容性：支持石墨、碳化鎢等模具，適配復雜形狀工件。
5、安全與擴展性
過壓、超溫、水冷故障自動保護。
可選配快速冷卻系統（氣淬/水淬），縮短工藝周期。